Шешімі: Закономерности в ряду элементов
Выберите два верных продолжения для следующего утверждения. В ряду химических элементов $\mathrm{Si} \rightarrow \mathrm{Ge} \rightarrow \mathrm{Sn}$.
Шешім по шагам
4 қадамЭлементы $\mathrm{Si}$, $\mathrm{Ge}$ и $\mathrm{Sn}$ расположены в одной группе и последовательно находятся в 3-м, 4-м и 5-м периодах.
При движении вниз по группе число электронных слоёв в атомах увеличивается. Поэтому утверждение 1 верно.
$$3 < 4 < 5$$Порядковые номера элементов при движении по ряду увеличиваются, следовательно, число протонов не уменьшается. Число электронов на внешнем уровне у элементов одной группы остаётся одинаковым, а электроотрицательность при движении вниз обычно уменьшается.
Вниз по группе неметаллические свойства ослабевают, а металлические усиливаются. Поэтому высшие оксиды приобретают более выраженный основный характер. Утверждение 4 верно.
Где здесь ошибаются
Путать движение вниз по группе с движением слева направо по периоду.
Считать, что число электронов на внешнем слое увеличивается при переходе от одного элемента группы к другому.
Қате определять изменение основного характера высших оксидов.